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印度理工大学焦特布尔分校Mahesh Kumar应邀来物理科学学院作学术报告

日期:2019-06-04      来源:物理科学学院      作者:王君学     阅读:

新闻网讯 5月31日上午,印度理工大学焦特布尔分校电气工程系副教授Mahesh Kumar应邀在国家重点实验室315会议室为师生作了题为《2D MoS2 based fast and low power NO2 sensor》的学术报告,报告会由赵海光教授主持。

Mahesh教授主要介绍了MoS2基高性能的NO2气体传感器的最新研究进展。他首先以NO2气体对人类与环境的影响出发介绍了气体传感器研究的重要性,然后介绍了多种类型MoS2基材料的制备(包括MoS2薄片、MoS2纳米线、MoS2-rGO复合材料、MoS2-MoO3异质结构等)及其气体传感器的制备与工作原理,重点介绍了利用MoS2-rGO等复合结构来提高气体传感器的灵敏度的机理,利用协同缺陷和界面工程控制二维材料的电/化学敏化水平,为提高传感器灵敏度开辟了新途径。报告结束后师生就气敏材料的选择与制备、气体传感器的工作原理等问题展开了积极的讨论。

Mahesh,班加罗尔理工学院工程博士,先后在班加罗尔巴拉特电子有限公司中央研究实验室,德国帕德伯恩大学担任科学家,现为印度理工大学焦特布尔分校电气工程系副教授。主要研究方向为:极性和非极性III族氮化物的薄膜和纳米结构、二维材料MoS2、Algan/Gan Hemts、III-V族半导体的外延生长、半导体带隙工程与表面研究、微型和纳米器件制造等,已在国际著名期刊发表SCI论文80余篇。Mahesh教授先后获得2014年印度青年科学家学会(INSA)奖、印度材料研究学会(Materials Research Society)2016年MRSI奖、原子能部2016年青年成就奖和智能结构与系统研究所2017年ISSS青年科学家奖。2016年,他被评为CrystengComm(RSC)十大杰出评审人之一。他是印度国家青年科学院(2015-2019)的创始成员和主席,全球青年科学院(2017-2022)成员,以及2016年的IEEE高级成员。

编辑:李鹏    
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